Разработаны силиценовые транзисторы толщиной в один атом
Исследователи Техасского универсистета из Остина (США) разработали первые транзисторы, основой которых служит силицен. Теоретически это даст возможность создавать чипы для компьютеров, которые будут намного быстрее, энергоэффективнее и компактнее современных решений.
Силицен - это подобное графену двумерное соединение кремния. Несмотря на вероятную совместимость с уже разработанными полупроводниковыми устройствами, получение компонентов на основе силицена является крайне трудоемким процессом из-за нестабильности вещества при воздействии воздуха и сложности.
Для создания силиценовых транзисторов толщиной в атом ученые из Штатов разработали новую методику. Сначала в вакуумной камере осуществили осаждение кремниевых атомов из разогретого пара с образованием на серебряной пленке слоя из силицена. На втором этапе ученые нанесли нанометровый слой из оксида алюминия. Далее полученная структура была перенесена на кремниевую подложку, расположившись серебряной пленкой вверх. Наконец, с помощью высокочастотного скобления серебряной пленки исследователи смогли получить транзисторы.
Естественно, пока рано говорить о практическом использовании новых транзисторов, однако ученые намерены продолжить свои опыты. Нельзя исключать, что в итоге результаты работ помогут в усовершенствовании компьютерной техники.
Дата публикации: 11.02.2015
|
|
|
